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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantQSE113
Code Commande1021147
Fiche technique
Longueur d'onde typ.880nm
Angle, vision25°
Consommation de puissance100mW
Nbre de broches2Broche(s)
Type de boîtier de transistorSorties radiales
Gamme de produit-
Normes Qualification Automobile-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le QSE113 est un phototransistor infrarouge NPN en silicium encapsulé dans un boîtier sidelooker en plastique noir.
- Filtre lumière du jour
- Haute sensibilité
- Marquage ponit bleu sur le côté
- Puissance dissipée 100mW
- Température d'utilisation de -40°C à 100°C
- Sensibilité de pointe de 880 nm
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Longueur d'onde typ.
880nm
Consommation de puissance
100mW
Type de boîtier de transistor
Sorties radiales
Normes Qualification Automobile
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Angle, vision
25°
Nbre de broches
2Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000159
Traçabilité des produits