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SMMBFJ310LT1G
Transistor FET RF, 25 V, 225 mW, SOT-23
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| 5+ | 0,267 € |
| 10+ | 0,164 € |
| 100+ | 0,130 € |
| 500+ | 0,114 € |
| 1000+ | 0,109 € |
| 5000+ | 0,101 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantSMMBFJ310LT1G
Code Commande2845411
Fiche technique
Tension Drain-Source Vds25V
Courant de drain Id-
Dissipation de puissance225mW
Fréquence d'utilisation Min.-
Fréquence d'utilisation Max.-
Type de boîtier de transistorSOT-23
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Type de canalCanal N
Montage transistorMontage en surface
Gamme de produit-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Tension Drain-Source Vds
25V
Dissipation de puissance
225mW
Fréquence d'utilisation Max.
-
Nbre de broches
3Broche(s)
Type de canal
Canal N
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Courant de drain Id
-
Fréquence d'utilisation Min.
-
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Température d'utilisation Max.
150°C
Montage transistor
Montage en surface
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000002
Traçabilité des produits