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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantTIP102G
Code Commande9556362
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo100V
Dissipation de puissance Pd80W
Courant de collecteur DC8A
Boîtier de transistor RFTO-220
Nombre de broches3Broche(s)
Gain en courant DC hFE200hFE
Montage transistorTraversant
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le TIP102G est un transistor Darlington bipolaire 8A NPN conçu pour les applications d'amplification pour un usage général et commutation basse vitesse.
- Composant complémentaire
- Construction monolithique avec une résistance de shunt entre base-émetteur intégrée
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Dissipation de puissance Pd
80W
Boîtier de transistor RF
TO-220
Gain en courant DC hFE
200hFE
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
100V
Courant de collecteur DC
8A
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour TIP102G
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002835
Traçabilité des produits