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TIP110G
Transistor Darlington, NPN, 60 V, 50 W, 2 A, TO-220AB, 3 Broche(s)
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| Quantité | |
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| 500+ | 0,293 € |
| 1000+ | 0,278 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantTIP110G
Code Commande2728130
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo60V
Dissipation de puissance Pd50W
Courant de collecteur DC2A
Boîtier de transistor RFTO-220AB
Nombre de broches3Broche(s)
Gain en courant DC hFE500hFE
Montage transistorTraversant
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Dissipation de puissance Pd
50W
Boîtier de transistor RF
TO-220AB
Gain en courant DC hFE
500hFE
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
60V
Courant de collecteur DC
2A
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour TIP110G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002041
Traçabilité des produits