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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantTIP120G
Code Commande2535659
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo60V
Dissipation de puissance Pd65W
Courant de collecteur DC5A
Boîtier de transistor RFTO-220
Nombre de broches3Broche(s)
Gain en courant DC hFE1000hFE
Montage transistorTraversant
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le TIP120G est un transistor NPN darlington conçu pour les applications d'amplification pour un usage général et de commutation basse vitesse.
- Gain courant DC élevé
- Construction monolithique avec une résistance de shunt entre base intégrée
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Dissipation de puissance Pd
65W
Boîtier de transistor RF
TO-220
Gain en courant DC hFE
1000hFE
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
AEC-Q101
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
60V
Courant de collecteur DC
5A
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002776
Traçabilité des produits