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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBD682G
Code Commande9557717
Fiche technique
Polarité transistorPNP
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo100V
Dissipation de puissance Pd40W
Courant de collecteur DC4A
Boîtier de transistor RFTO-225
Nombre de broches3Broche(s)
Gain en courant DC hFE750hFE
Montage transistorTraversant
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le BD682G est un transistor Darlington de puissance moyenne PNP qui peut être utilisé comme dispositif de sortie dans des applications d'amplification complémentaires pour un usage général.
- Construction monolithique
- Complémentaire au BD681
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Polarité transistor
PNP
Dissipation de puissance Pd
40W
Boîtier de transistor RF
TO-225
Gain en courant DC hFE
750hFE
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
100V
Courant de collecteur DC
4A
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (4)
Produits de remplacement pour BD682G
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00064