Imprimer la page
BSS84
MOSFET de puissance, Canal P, 50 V, 130 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Montage en surface
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
58.559 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | |
|---|---|
| 5+ | 0,475 € |
| 50+ | 0,286 € |
| 100+ | 0,198 € |
| 500+ | 0,183 € |
| 1500+ | 0,164 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
2,38 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBSS84
Code Commande1094997
Fiche technique
Tension Vds max..50V
Courant de drain Id130mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON1.2ohm
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)5V
Tension de seuil Vgs Max1.7V
Dissipation de puissance360mW
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le BSS84 est un transistor à effet de champ en mode d'amélioration, niveau logique, canal P, dans un boîtier SOT-23. Ce produit est conçu pour minimiser la résistance On-State tout en fournissant une performance de commutation robuste, fiable et rapide ainsi les BSS84 sont adaptés pour les applications basses tensions, courant faible et commutation.
- Commutateur canal P contrôlée en tension pour signaux faibles
- Conception avec cellule haute densité pour un faible RDS (on)
- Haute capacité de courant de saturation
- Tension Drain/Source (Vds) de -50V
- Tension grille à source de ±20V
- Faible résistance à l'état On de 3.5 ohms avec VGS 10V
- Courant de drain continue de -130mA
- Dissipation de puissance maximale de 360mW
- Plage de température de jonction de -55°C à 150°C
Spécifications techniques
Tension Vds max..
50V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
1.2ohm
Tension de test Rds(on)
5V
Dissipation de puissance
360mW
Température de fonctionnement max..
150°C
Courant de drain Id
130mA
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.7V
Nombre de broches
3Broche(s)
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour BSS84
8 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000033
Traçabilité des produits