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FDD306P
MOSFET de puissance, Canal P, 12 V, 6.7 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
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| Quantité | |
|---|---|
| 2500+ | 0,365 € |
| 7500+ | 0,357 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
912,50 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD306P
Code Commande4338963
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds12V
Courant de drain Id6.7A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.028ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max500mV
Dissipation de puissance52W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
6.7A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
52W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
12V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.028ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
500mV
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000605
Traçabilité des produits