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FGD3N60LSDTM
IGBT, 6 A, 1.8 V, 40 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Broche(s)
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| 10+ | 0,640 € |
| 100+ | 0,616 € |
| 500+ | 0,567 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFGD3N60LSDTM
Code Commande3368680
Fiche technique
Courant Collecteur Continu6A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.8V
Dissipation de puissance40W
Tension Collecteur Emetteur Max600V
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Montage transistorMontage en surface
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
6A
Dissipation de puissance
40W
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Température de fonctionnement max..
150°C
Gamme de produit
-
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.8V
Tension Collecteur Emetteur Max
600V
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documents techniques (4)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004