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Quantité | |
---|---|
2500+ | 0,198 € |
7500+ | 0,174 € |
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Multiple: 2500
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJD253T4G
Code Commande2441277
Fiche technique
Polarité transistorPNP
Tension Collecteur Emetteur Max100V
Courant Collecteur Continu4A
Dissipation de puissance12.5W
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches3Broche(s)
Fréquence de transition40MHz
Gain de courant DC hFE Min.40hFE
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Spécifications techniques
Polarité transistor
PNP
Courant Collecteur Continu
4A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Nbre de broches
3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.
40hFE
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Collecteur Emetteur Max
100V
Dissipation de puissance
12.5W
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition
40MHz
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits