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NTBG015N065SC1
SIC MOSFET, N-CH, 18V, 145A, TO-263
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG015N065SC1
Code Commande4067375
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 22 semaine(s)
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| Quantité | |
|---|---|
| 800+ | 20,230 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 800
Multiple: 800
16.184,00 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG015N065SC1
Code Commande4067375
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSingle
Type de canalN Channel
Courant de drain Id145A
Tension Drain-Source Vds650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.012ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Nbre de broches7Broche(s)
Tension de test Rds(on)18V
Tension de seuil Vgs Max2.8V
Dissipation de puissance500W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitEliteSiC Series
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Single
Courant de drain Id
145A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.012ohm
Nbre de broches
7Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
2.8V
Température d'utilisation Max.
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Type de canal
N Channel
Tension Drain-Source Vds
650V
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
18V
Dissipation de puissance
500W
Gamme de produit
EliteSiC Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.008309
Traçabilité des produits