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NVBG040N120M3S
MOSFET en carbure de silicium, Canal N, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG040N120M3S
Code Commande4244653RL
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
1.200 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 10+ | 13,130 € |
| 50+ | 12,870 € |
| 100+ | 12,600 € |
| 250+ | 12,340 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 10
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG040N120M3S
Code Commande4244653RL
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Configuration du module MOSFET-
Type de canalCanal N
Courant de drain Id49A
Tension Drain-Source Vds1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0405ohm
Type de boîtier de transistorD2PAK-7L
Nbre de broches7Broche(s)
Tension de test Rds(on)18V
Tension de seuil Vgs Max3.22V
Dissipation de puissance297W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
-
Courant de drain Id
49A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0405ohm
Nbre de broches
7Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
3.22V
Température d'utilisation Max.
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
1.2kV
Type de boîtier de transistor
D2PAK-7L
Tension de test Rds(on)
18V
Dissipation de puissance
297W
Gamme de produit
EliteSiC Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits