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NVBLS001N06C
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 422 A, 750 µohm, H-PSOF, Montage en surface
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| Quantité | |
|---|---|
| 10+ | 7,820 € |
| 100+ | 7,020 € |
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Minimum: 10
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBLS001N06C
Code Commande3367863RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id422A
Résistance Drain-Source à l'état-ON750µohm
Type de boîtier de transistorH-PSOF
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.8V
Dissipation de puissance284W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
422A
Type de boîtier de transistor
H-PSOF
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
284W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
750µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.8V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits