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NVHL040N120SC1
MOSFET en carbure de silicium, EliteSiC, Simple, Canal N, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVHL040N120SC1
Code Commande3464026
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
495 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 14,620 € |
| 5+ | 14,610 € |
| 10+ | 14,600 € |
| 50+ | 14,540 € |
| 100+ | 14,250 € |
| 250+ | 13,980 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVHL040N120SC1
Code Commande3464026
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id60A
Tension Vds max..1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.056ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Nombre de broches3Broche(s)
Tension de test Rds(on)20V
Tension de seuil Vgs Max4.3V
Dissipation de puissance348W
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
- Silicon carbide (SiC) MOSFET
- 100% UIL tested, AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source on resistance is 39mohm (typ, VGS = 20V, ID = 35A, TJ = 25°C
- Reverse transfer capacitance is 12pF (typ, VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 800V)
- Continuous drain current RJC is 60A (maximum, TC = 25°C, steady state)
- Gate to source leakage current is ±1µA (max, VGS = +25/-15V, VDS =0V)
- Power dissipation is 348W (VGS = +25/-15V, VDS =0V)
- Rise time is 41ns (typ, VGS = -5/20V, VDS = 800V, ID = 47A, RG = 4.7ohm, inductive load)
- Reverse recovery time is 24ns (typ, VGS = -5/20V, ISD = 47A, dIS/dt = 1000A/ s)
- Operating and storage junction temperature range from -55 to +175°C, TO247-3L package
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
60A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.056ohm
Nombre de broches
3Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
4.3V
Température de fonctionnement max..
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Type de canal
Canal N
Tension Vds max..
1.2kV
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
20V
Dissipation de puissance
348W
Gamme de produit
EliteSiC Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002
Traçabilité des produits