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NXH50M65L4C2SG
Module IGBT, 50 A, 1.6 V, 150 °C, DIP
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| Quantité | |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH50M65L4C2SG
Code Commande3872101
Fiche technique
Configuration IGBT-
Courant de collecteur DC50A
Courant Collecteur Continu50A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.6V
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.6V
Dissipation de puissance-
Dissipation de puissance Pd-
Température, Tj max..150°C
Température de fonctionnement max..150°C
Type de boîtier de transistorDIP
Borne IGBTA souder
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo650V
Tension Collecteur Emetteur Max650V
Technologie IGBT-
Montage transistorPanneau
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Configuration IGBT
-
Courant Collecteur Continu
50A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.6V
Dissipation de puissance Pd
-
Température de fonctionnement max..
150°C
Borne IGBT
A souder
Tension Collecteur Emetteur Max
650V
Montage transistor
Panneau
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Courant de collecteur DC
50A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.6V
Dissipation de puissance
-
Température, Tj max..
150°C
Type de boîtier de transistor
DIP
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
650V
Technologie IGBT
-
Gamme de produit
-
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001