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NXH600N105H7F5S1HG
Module IGBT, Onduleur à trois niveaux, 429 A, 1.6 V, 1.08 kW, 150 °C, PIM
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 303,980 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH600N105H7F5S1HG
Code Commande4750180
Fiche technique
Configuration IGBTOnduleur à trois niveaux
Courant Collecteur Continu429A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.6V
Dissipation de puissance1.08kW
Température d'utilisation Max.150°C
Type de boîtier de transistorPIM
Borne IGBTA souder Mâle
Tension Collecteur Emetteur Max1.05kV
Technologie IGBTIGBT 7 [Trench/Field Stop]
Montage transistorPanneau
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Configuration IGBT
Onduleur à trois niveaux
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.6V
Température d'utilisation Max.
150°C
Borne IGBT
A souder Mâle
Technologie IGBT
IGBT 7 [Trench/Field Stop]
Gamme de produit
-
Courant Collecteur Continu
429A
Dissipation de puissance
1.08kW
Type de boîtier de transistor
PIM
Tension Collecteur Emetteur Max
1.05kV
Montage transistor
Panneau
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001