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UFB25SC12E1BC3N
MOSFET en carbure de silicium, Pont complet, Canal P, 36 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, PIM
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantUFB25SC12E1BC3N
Code Commande4750190
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUFB25SC12E1BC3N
Code Commande4750190
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Configuration du module MOSFETPont complet
Type de canalCanal P
Courant de drain Id36A
Tension Drain-Source Vds1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.045ohm
Type de boîtier de transistorPIM
Nbre de broches22Broche(s)
Tension de test Rds(on)12V
Tension de seuil Vgs Max6V
Dissipation de puissance114W
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Pont complet
Courant de drain Id
36A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.045ohm
Nbre de broches
22Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
6V
Température d'utilisation Max.
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Type de canal
Canal P
Tension Drain-Source Vds
1.2kV
Type de boîtier de transistor
PIM
Tension de test Rds(on)
12V
Dissipation de puissance
114W
Gamme de produit
EliteSiC Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits