Imprimer la page
AQW210EH
Relais MOSFET, 350 V, 120 mA, 25 ohm, DPST-NO
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantPANASONIC
Réf. FabricantAQW210EH
Code Commande1175733
Gamme de produitPhotoMOS AQW
Fiche technique
603 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 5,580 € |
| 5+ | 4,890 € |
| 10+ | 4,050 € |
| 20+ | 3,630 € |
| 50+ | 3,350 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
5,58 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantPANASONIC
Réf. FabricantAQW210EH
Code Commande1175733
Gamme de produitPhotoMOS AQW
Fiche technique
Configuration des contactsDPST-NO
Forme de contactDPST-NO (2 Forme A)
Type de chargeAC / DC
Tension de charge max..350V
Courant, charge120mA
Style de boîtier de relais MOSFETDIP-8
Montage relaisTraversant
Bornes de relaisBroche PC
Courant, direct, If1.2mA
Résistance, Ron, max..25ohm
Tension, isolation5kV
Type de capacité d'E/S0.8pF
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.1µA
Gamme de produitPhotoMOS AQW
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Aperçu du produit
The AQW210EH is a Solid State Relay with DPST-NO contacts and through hole terminals. This AQW-series PhotoMOS GU-E relay feature extremely low closed-circuit offset voltage to enable control of low-level analogue signals without distortion. Applicable for 2-form-A use as well as two independent 1-form-A use.
- Controls low-level analogue signals
- High sensitivity, high speed response
- Low-level off state leakage current
- 5000V Reinforced isolation
- 850mW Power dissipation
- 2ms Turn-on and 1ms turn-off maximum time
- -40 to 85°C Operating temperature range
Spécifications techniques
Configuration des contacts
DPST-NO
Type de charge
AC / DC
Courant, charge
120mA
Montage relais
Traversant
Courant, direct, If
1.2mA
Tension, isolation
5kV
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.
1µA
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Forme de contact
DPST-NO (2 Forme A)
Tension de charge max..
350V
Style de boîtier de relais MOSFET
DIP-8
Bornes de relais
Broche PC
Résistance, Ron, max..
25ohm
Type de capacité d'E/S
0.8pF
Gamme de produit
PhotoMOS AQW
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85364900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000454