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AQW212EHA
Relais MOSFET, 60 V, 500 mA, 2.5 ohm, DPST-NO
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantPANASONIC
Réf. FabricantAQW212EHA
Code Commande1524377
Gamme de produitPhotoMOS AQW
Fiche technique
1.565 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 5,680 € |
| 5+ | 4,970 € |
| 10+ | 4,120 € |
| 20+ | 3,690 € |
| 50+ | 3,410 € |
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Informations produit
FabricantPANASONIC
Réf. FabricantAQW212EHA
Code Commande1524377
Gamme de produitPhotoMOS AQW
Fiche technique
Configuration des contactsDPST-NO
Forme de contactDPST-NO (2 Forme A)
Type de chargeAC / DC
Tension de charge max..60V
Courant, charge500mA
Style de boîtier de relais MOSFETDIP-8
Montage relaisMontage en surface
Bornes de relaisGull Wing
Courant, direct, If1.2mA
Résistance, Ron, max..2.5ohm
Tension, isolation5kV
Type de capacité d'E/S0.8pF
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.1µA
Gamme de produitPhotoMOS AQW
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Aperçu du produit
L'AQW210EHA est un relais statique avec contact DPST-NO et bornes à trous. Ce relais PhotoMOS GU-E de la série AQW présente une tension de décalage en circuit fermé extrêmement faible pour permettre le contrôle des signaux analogiques de bas niveau sans distorsion. Applicable pour une utilisation 2-forme-A ainsi que pour deux utilisations 1-forme-A indépendantes
- Contrôle les signaux analogiques de bas niveau
- Haute sensibilité, réponse à grande vitesse
- Courant de fuite bas niveau
- Isolation renforcée 5000V
- Puissance dissipée 850 mW
- Temps de mise en marche 2ms et temps d'arrêt 1ms maximum
- Température d'utilisation -40 à 85°C
Spécifications techniques
Configuration des contacts
DPST-NO
Type de charge
AC / DC
Courant, charge
500mA
Montage relais
Montage en surface
Courant, direct, If
1.2mA
Tension, isolation
5kV
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.
1µA
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Forme de contact
DPST-NO (2 Forme A)
Tension de charge max..
60V
Style de boîtier de relais MOSFET
DIP-8
Bornes de relais
Gull Wing
Résistance, Ron, max..
2.5ohm
Type de capacité d'E/S
0.8pF
Gamme de produit
PhotoMOS AQW
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85364110
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.003121