Imprimer la page
AQY410EH
Relais MOSFET, SPST-NC (1 Forme B), AC / DC, 350 V, 130 mA, DIP-4, Traversant
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantPANASONIC
Réf. FabricantAQY410EH
Code Commande3588795
Gamme de produitPhotoMOS AQY41
Fiche technique
Plus stocké
Informations produit
FabricantPANASONIC
Réf. FabricantAQY410EH
Code Commande3588795
Gamme de produitPhotoMOS AQY41
Fiche technique
Forme de contactSPST-NC (1 Forme B)
Configuration des contactsSPST-NC
Type de chargeAC / DC
Tension de charge max..350V
Courant, charge130mA
Style de boîtier de relais MOSFETDIP-4
Montage relaisTraversant
Courant, direct, If50mA
Bornes de relaisBroche PC
Résistance, Ron, max..25ohm
Tension, isolation5kV
Type de capacité d'E/S0.8pF
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.10µA
Gamme de produitPhotoMOS AQY41
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Forme de contact
SPST-NC (1 Forme B)
Type de charge
AC / DC
Courant, charge
130mA
Montage relais
Traversant
Bornes de relais
Broche PC
Tension, isolation
5kV
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.
10µA
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Configuration des contacts
SPST-NC
Tension de charge max..
350V
Style de boîtier de relais MOSFET
DIP-4
Courant, direct, If
50mA
Résistance, Ron, max..
25ohm
Type de capacité d'E/S
0.8pF
Gamme de produit
PhotoMOS AQY41
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85364190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000424