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GNP2070TEC-ZE2
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 650 V, 27.2 A, 0.098 ohm, 4.7 nC, DFN8080CK
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 10,710 € |
| 5+ | 10,120 € |
| 10+ | 9,500 € |
| 50+ | 9,190 € |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantGNP2070TEC-ZE2
Code Commande4719850
Fiche technique
Tension Vds max..650V
Courant de drain Id27.2A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.098ohm
Charge de porte Typique4.7nC
Type de boîtier de transistorDFN8080CK
Montage transistorMontage en surface
Nombre de broches8Broche(s)
Gamme de produit-
Qualification0
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Tension Vds max..
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.098ohm
Type de boîtier de transistor
DFN8080CK
Nombre de broches
8Broche(s)
Qualification
0
Courant de drain Id
27.2A
Charge de porte Typique
4.7nC
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00017
Traçabilité des produits