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Quantité | |
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1000+ | 0,482 € |
5000+ | 0,449 € |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantHT8KE5HTB1
Code Commande4633521
Fiche technique
Type de canalCanal double N
Tension Drain Source Vds, Canal N100V
Tension drain source Vds, Canal P-
Courant de drain continu Id, Canal N6.5A
Courant de drain continu Id, Canal P-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.21ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P-
Type de boîtier de transistorHSMT
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P13W
Dissipation de puissance, Canal P-
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification0
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal double N
Tension drain source Vds, Canal P
-
Courant de drain continu Id, Canal P
-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
-
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
-
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Tension Drain Source Vds, Canal N
100V
Courant de drain continu Id, Canal N
6.5A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.21ohm
Type de boîtier de transistor
HSMT
Dissipation de puissance Canal P
13W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
0
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001
Traçabilité des produits