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R6009RND3TL1
MOSFET de puissance, Canal N, 600 V, 9 A, 0.665 ohm, TO-252, Montage en surface
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| 100+ | 0,919 € |
| 500+ | 0,824 € |
| 1000+ | 0,761 € |
| 5000+ | 0,710 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantR6009RND3TL1
Code Commande4158094RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds600V
Courant de drain Id9A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.665ohm
Type de boîtier de transistorTO-252
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)15V
Tension de seuil Vgs Max7V
Dissipation de puissance125W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
9A
Type de boîtier de transistor
TO-252
Tension de test Rds(on)
15V
Dissipation de puissance
125W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
600V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.665ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
7V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001