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R8002ANJFRGTL
MOSFET de puissance, Canal N, 800 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-263S, Montage en surface
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantR8002ANJFRGTL
Code Commande3406514RL
Fiche technique
Polarité transistorCanal N
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds800V
Courant de drain Id2A
Résistance Rds(on)3.3ohm
Résistance Drain-Source à l'état-ON4.3ohm
Type de boîtier de transistorTO-263S
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance Pd62W
Dissipation de puissance62W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
Normes Qualification AutomobileAEC-Q101
SVHCLead (23-Jan-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Polarité transistor
Canal N
Tension Drain-Source Vds
800V
Résistance Rds(on)
3.3ohm
Type de boîtier de transistor
TO-263S
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance Pd
62W
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
Normes Qualification Automobile
AEC-Q101
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
2A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
4.3ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
5V
Dissipation de puissance
62W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (23-Jan-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001