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RV2C010UNT2L
MOSFET de puissance, Canal N, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, VML1006, Montage en surface
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRV2C010UNT2L
Code Commande2490619
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id1A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.47ohm
Type de boîtier de transistorVML1006
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max1V
Dissipation de puissance400mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
1A
Type de boîtier de transistor
VML1006
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
400mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.47ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.005577
Traçabilité des produits