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RV3C002UNT2CL
MOSFET de puissance, Canal N, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0603, Montage en surface
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| 1000+ | 0,118 € |
| 5000+ | 0,115 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRV3C002UNT2CL
Code Commande3407114RL
Fiche technique
Polarité transistorCanal N
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id150mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON2ohm
Résistance Rds(on)1.4ohm
Type de boîtier de transistorDFN0603
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max800mV
Dissipation de puissance Pd100mW
Dissipation de puissance100mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Normes Qualification Automobile-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Polarité transistor
Canal N
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
2ohm
Type de boîtier de transistor
DFN0603
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance Pd
100mW
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
Normes Qualification Automobile
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
150mA
Résistance Rds(on)
1.4ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
800mV
Dissipation de puissance
100mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0005
Traçabilité des produits