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SH8JE5TB1
MOSFET double, Canal double P, 100 V, 4.5 A
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 2,370 € |
| 10+ | 1,770 € |
| 100+ | 1,360 € |
| 500+ | 1,090 € |
| 1000+ | 1,000 € |
| 5000+ | 0,980 € |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantSH8JE5TB1
Code Commande4168764
Fiche technique
Type de canalCanal double P
Tension Drain Source Vds, Canal N-
Tension drain source Vds, Canal P100V
Courant de drain continu Id, Canal N-
Courant de drain continu Id, Canal P4.5A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.07ohm
Type de boîtier de transistorSOP
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P-
Dissipation de puissance, Canal P2W
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal double P
Tension drain source Vds, Canal P
100V
Courant de drain continu Id, Canal P
4.5A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.07ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
2W
Gamme de produit
-
SVHC
To Be Advised
Tension Drain Source Vds, Canal N
-
Courant de drain continu Id, Canal N
-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
-
Type de boîtier de transistor
SOP
Dissipation de puissance Canal P
-
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000079