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SH8KC5TB1
MOSFET double, Canal double N, 60 V, 3.5 A, 0.095 ohm
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|---|---|
| 1+ | 1,350 € |
| 10+ | 0,851 € |
| 100+ | 0,565 € |
| 500+ | 0,442 € |
| 1000+ | 0,403 € |
| 5000+ | 0,334 € |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantSH8KC5TB1
Code Commande4633524
Fiche technique
Type de canalCanal double N
Tension Drain Source Vds, Canal N60V
Tension drain source Vds, Canal P-
Courant de drain continu Id, Canal N3.5A
Courant de drain continu Id, Canal P-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.095ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P-
Type de boîtier de transistorSOP
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P2W
Dissipation de puissance, Canal P-
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification0
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal double N
Tension drain source Vds, Canal P
-
Courant de drain continu Id, Canal P
-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
-
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
-
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Tension Drain Source Vds, Canal N
60V
Courant de drain continu Id, Canal N
3.5A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.095ohm
Type de boîtier de transistor
SOP
Dissipation de puissance Canal P
2W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
0
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001
Traçabilité des produits