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SKM100GAL12T4
Module IGBT, Simple, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Module
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 26 semaine(s)
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 83,500 € |
| 5+ | 77,470 € |
| 10+ | 70,400 € |
| 50+ | 67,840 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
83,50 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM100GAL12T4
Code Commande2423679
Fiche technique
Configuration IGBTSimple
Polarité transistorCanal N
Courant de collecteur DC160A
Courant Collecteur Continu160A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.8V
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.8V
Dissipation de puissance Pd-
Dissipation de puissance-
Température d'utilisation Max.175°C
Température de jonction Tj Max.175°C
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo1.2kV
Type de boîtier de transistorModule
Nbre de broches7Broche(s)
Borne IGBTGoujon
Tension Collecteur Emetteur Max1.2kV
Technologie IGBTIGBT 4 Fast [Trench]
Montage transistorPanneau
Gamme de produit-
Aperçu du produit
Le SKM100GAL12T4 est un module IGBT SEMITRANS® 2 pour utiliser avec des soudeuses électroniques à fsw jusqu'à 20 kHz et un hacheur de freinage. Il comporte une plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC (liaison directe au cuivre) et une capacité de cycle d'alimentation accrue.
- Commutateur simple
- IGBT4 = IGBT de tranchée rapide de 4e génération (Infineon)
- CAL4 = Diode CAL de 4ème génération à commutation logicielle
- Résistance de porte intégrée
- Reconnu UL (numéro de fichier E63532)
Spécifications techniques
Configuration IGBT
Simple
Courant de collecteur DC
160A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.8V
Dissipation de puissance Pd
-
Température d'utilisation Max.
175°C
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
1.2kV
Nbre de broches
7Broche(s)
Tension Collecteur Emetteur Max
1.2kV
Montage transistor
Panneau
Polarité transistor
Canal N
Courant Collecteur Continu
160A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.8V
Dissipation de puissance
-
Température de jonction Tj Max.
175°C
Type de boîtier de transistor
Module
Borne IGBT
Goujon
Technologie IGBT
IGBT 4 Fast [Trench]
Gamme de produit
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Slovak Republic
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Slovak Republic
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.18
Traçabilité des produits