Imprimer la page
SKM200GB12T4
Module IGBT, Demi-pont, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Module
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
6 En Stock
12 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
Livraison EXPRESS le jour ouvrable suivant
Commander avant 17:00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 203,070 € |
| 5+ | 191,400 € |
| 10+ | 178,990 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
203,07 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM200GB12T4
Code Commande2423694
Fiche technique
Configuration IGBTDemi-pont
Polarité transistorDouble canal N
Courant de collecteur DC313A
Courant Collecteur Continu313A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.8V
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.8V
Dissipation de puissance Pd-
Dissipation de puissance-
Température d'utilisation Max.175°C
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo1.2kV
Température de jonction Tj Max.175°C
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTGoujon
Nbre de broches7Broche(s)
Tension Collecteur Emetteur Max1.2kV
Technologie IGBTIGBT 4 Fast [Trench]
Montage transistorPanneau
Gamme de produit-
Aperçu du produit
Le SKM200GB12T4 est un module IGBT rapide SEMITRANS® 3 pour utiliser avec les onduleurs AC Il comporte une plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC (liaison directe au cuivre) et une capacité de cycle d'alimentation accrue.
- Commutateur Demi-pont
- IGBT4 = IGBT de tranchée rapide de 4e génération (Infineon)
- CAL4 = Diode CAL de 4ème génération à commutation logicielle
- Résistance de porte intégrée
- Pour des fréquences de commutation plus élevées jusqu'à 12kHz
- Reconnu UL (numéro de fichier E63532)
Spécifications techniques
Configuration IGBT
Demi-pont
Courant de collecteur DC
313A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.8V
Dissipation de puissance Pd
-
Température d'utilisation Max.
175°C
Température de jonction Tj Max.
175°C
Borne IGBT
Goujon
Tension Collecteur Emetteur Max
1.2kV
Montage transistor
Panneau
Polarité transistor
Double canal N
Courant Collecteur Continu
313A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.8V
Dissipation de puissance
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
1.2kV
Type de boîtier de transistor
Module
Nbre de broches
7Broche(s)
Technologie IGBT
IGBT 4 Fast [Trench]
Gamme de produit
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SKM200GB12T4
3 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Slovak Republic
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Slovak Republic
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.18
Traçabilité des produits