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S34ML08G101BHI000
Mémoire Flash, NON-ET, SLC NAND, 8 Gbit, 1G x 8 bits, Parallèle, BGA, 63 Broche(s)
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FabricantSKYHIGH MEMORY LIMITED
Réf. FabricantS34ML08G101BHI000
Code Commande2340567
Gamme de produit3V Parallel NAND Flash Memories
Fiche technique
32 En Stock
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Informations produit
FabricantSKYHIGH MEMORY LIMITED
Réf. FabricantS34ML08G101BHI000
Code Commande2340567
Gamme de produit3V Parallel NAND Flash Memories
Fiche technique
Type de mémoire flashSLC NAND
Densité de mémoire8Gbit
Configuration mémoire1G x 8 bits
InterfacesParallèle
IC Boîtier/PaquetBGA
Nbre de broches63Broche(s)
Fréquence d'horloge Max.-
Temps d'accès25ns
Tension, alimentation min.2.7V
Tension d'alimentation Max.3.6V
Tension d'alimentation nominale-
Montage CIMontage en surface
Température d'utilisation min-40°C
Température d'utilisation Max.85°C
Gamme de produit3V Parallel NAND Flash Memories
MSLMSL 3 - 168 heures
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Aperçu du produit
The S34ML08G101BHI000 is a 8GB NAND Flash Memory for embedded and it is offered in 3.3VCC with x8 I/O interface. The NAND has open NAND flash interface (ONFI) 1.0 compliant and also features address, data and commands multiplexed. It offers reliability of typical 100000 program/erase cycles, typical 10 years of data retention, blocks zero and one are valid and will be valid for at least 1000 program-erase cycles with ECC.
- Architecture - Input/output bus width of 8-bit
- Device size - 2 planes per device or 512MB
- Security - One time programmable area
- Hardware program/erase disabled during power transition
- Supports Multiplane Program and Erase commands
- Supports copy back program
- Supports multiplane copy back program
- Supports read cache
- Electronic signature - Manufacturer ID of 01h
- Standard interface/ONFI (x8)
Spécifications techniques
Type de mémoire flash
SLC NAND
Configuration mémoire
1G x 8 bits
IC Boîtier/Paquet
BGA
Fréquence d'horloge Max.
-
Tension, alimentation min.
2.7V
Tension d'alimentation nominale
-
Température d'utilisation min
-40°C
Gamme de produit
3V Parallel NAND Flash Memories
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Densité de mémoire
8Gbit
Interfaces
Parallèle
Nbre de broches
63Broche(s)
Temps d'accès
25ns
Tension d'alimentation Max.
3.6V
Montage CI
Montage en surface
Température d'utilisation Max.
85°C
MSL
MSL 3 - 168 heures
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423269
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004237