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PMD17K100
Transistor Darlington, PNP, 3 Broche(s)
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Informations produit
FabricantSOLID STATE
Réf. FabricantPMD17K100
Code Commande1863028
Fiche technique
Polarité transistorPNP
Nbre de broches3Broche(s)
Montage transistorTraversant
Température d'utilisation Max.200°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The PMD17K100 is a PNP power Darlington Transistor features monolithic epitaxial base structures with built-in base to emitter shunt resistors. It is CVD glass passivated to increase reliability and provide reduced high-temperature reverse leakage current. This important feature enables this device to meet guaranteed operating junction temperatures of 200°C. Internal diode protection of the Darlington configuration is built into the structure to limit the device power dissipation during overshoot.
- Guaranteed and 100% tested for ISB insuring maximum performance at high energy levels
- Low thermal resistance for more use-able power and lower operating temperatures
- Hermetically sealed
Spécifications techniques
Polarité transistor
PNP
Montage transistor
Traversant
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Nbre de broches
3Broche(s)
Température d'utilisation Max.
200°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.013155