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GD100HHU120C6S
Module IGBT, Pont en H, 160 A, 3.1 V, 638 W, 125 °C, Module
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Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD100HHU120C6S
Code Commande3549221
Fiche technique
Configuration IGBTPont en H
Courant Collecteur Continu160A
Courant de collecteur DC160A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)3.1V
Tension de saturation Emetteur Collecteur3.1V
Dissipation de puissance Pd638W
Dissipation de puissance638W
Température de jonction Tj Max.125°C
Température d'utilisation Max.125°C
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTMontage à la presse
Tension Collecteur Emetteur Max1.2kV
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo1.2kV
Technologie IGBTNPT Ultra Fast IGBT
Montage transistorPanneau
Gamme de produit-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Configuration IGBT
Pont en H
Courant de collecteur DC
160A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
3.1V
Dissipation de puissance
638W
Température d'utilisation Max.
125°C
Borne IGBT
Montage à la presse
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
1.2kV
Montage transistor
Panneau
SVHC
To Be Advised
Courant Collecteur Continu
160A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
3.1V
Dissipation de puissance Pd
638W
Température de jonction Tj Max.
125°C
Type de boîtier de transistor
Module
Tension Collecteur Emetteur Max
1.2kV
Technologie IGBT
NPT Ultra Fast IGBT
Gamme de produit
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :1.21