Imprimer la page
GD200HFY120C2S
Module IGBT, Demi-pont, 309 A, 2 V, 1.006 kW, 150 °C, Module
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
27 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS le jour ouvrable suivant
Commander avant 17:00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 91,480 € |
| 5+ | 84,880 € |
| 10+ | 77,130 € |
| 50+ | 74,320 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
91,48 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD200HFY120C2S
Code Commande2986062
Fiche technique
Configuration IGBTDemi-pont
Courant Collecteur Continu309A
Courant de collecteur DC309A
Tension de saturation Emetteur Collecteur2V
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)2V
Dissipation de puissance1.006kW
Dissipation de puissance Pd1.006kW
Température d'utilisation Max.150°C
Température de jonction Tj Max.150°C
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTGoujon
Tension Collecteur Emetteur Max1.2kV
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo1.2kV
Technologie IGBTTrench Field Stop
Montage transistorPanneau
Gamme de produit-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
Les modules et les matrices IGBT Starpower fournissent une perte de conduction extrêmement faible ainsi qu'une robustesse de court-circuit. Ils sont conçus pour des applications telles que les onduleurs et les inverseurs généraux. Caractéristiques clés de la technologie Trench IGBT, température de jonction maximale 175°C et plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC.
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Configuration IGBT
Demi-pont
Courant de collecteur DC
309A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
2V
Dissipation de puissance Pd
1.006kW
Température de jonction Tj Max.
150°C
Borne IGBT
Goujon
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
1.2kV
Montage transistor
Panneau
SVHC
To Be Advised
Courant Collecteur Continu
309A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
2V
Dissipation de puissance
1.006kW
Température d'utilisation Max.
150°C
Type de boîtier de transistor
Module
Tension Collecteur Emetteur Max
1.2kV
Technologie IGBT
Trench Field Stop
Gamme de produit
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour GD200HFY120C2S
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.313704