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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantBDW93CFP
Code Commande1084541
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo100V
Dissipation de puissance Pd33W
Courant de collecteur DC12A
Boîtier de transistor RFTO-220FP
Nombre de broches3Broche(s)
Gain en courant DC hFE1000hFE
Montage transistorTraversant
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le BDW93CFP est un transistor de puissance en silicium à base épitaxiale complémentaire NPN avec une configuration Darlington monolithique montée dans un boîtier isolé entièrement moulé. Conçu pour les applications de commutation et de puissance linéaire
- Diode à collecteur-émetteur anti parallèle intégré
- Le type complémentaire PNP est le BDW94CFP
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Dissipation de puissance Pd
33W
Boîtier de transistor RF
TO-220FP
Gain en courant DC hFE
1000hFE
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
100V
Courant de collecteur DC
12A
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002