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BDX34C
Transistor Darlington, Darlington, PNP, 100 V, 70 W, 10 A, TO-220, 3 Broche(s)
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantBDX34C
Code Commande1015774
Fiche technique
Polarité transistorPNP
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo100V
Dissipation de puissance Pd70W
Courant de collecteur DC10A
Boîtier de transistor RFTO-220
Nombre de broches3Broche(s)
Gain en courant DC hFE750hFE
Montage transistorTraversant
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le BDX34C est un transistor de puissance, base épitaxiale PNP silicium -100V en configuration monolithique Darlington. Conçu pour les applications de commutation et de puissance linéaire Temps de commutation rapide et très faible tension de saturation entraînant des réductions de pertes de commutation et de conduction
- Complémentaire au BDX33C
- Paramètre HFE bien contrôlé pour une fiabilité accrue
Spécifications techniques
Polarité transistor
PNP
Dissipation de puissance Pd
70W
Boîtier de transistor RF
TO-220
Gain en courant DC hFE
750hFE
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
100V
Courant de collecteur DC
10A
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002