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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantBDX53B
Code Commande1015775
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo80V
Dissipation de puissance Pd60W
Courant de collecteur DC8A
Boîtier de transistor RFTO-220
Nbre de broches3Broche(s)
Gain en courant DC hFE750hFE
Montage transistorTraversant
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le BDX53B est un transistor Darlington de puissance complémentaire NPN fabriqué en technologie "Planar Base Island". Configuration monolithique Darlington avec diode Collecteur-Emetteur anti-parallèle intégrée.
- Bonne linéarité hFE
- Fréquence fT élevée
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Dissipation de puissance Pd
60W
Boîtier de transistor RF
TO-220
Gain en courant DC hFE
750hFE
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
80V
Courant de collecteur DC
8A
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BDX53B
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002