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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantFERD20S100SB-TR
Code Commande2778087
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive100V
Courant direct moyen20A
Configuration diodeUne
Tension directe max660mV
Temps de redressement en inverse-
Courant de surtension vers l'avant150A
Température d'utilisation Max.175°C
Type de boîtier de diodeTO-252 (DPAK)
Nbre de broches3Broche(s)
Gamme de produit-
Qualification-
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
100V
Configuration diode
Une
Temps de redressement en inverse
-
Température d'utilisation Max.
175°C
Nbre de broches
3Broche(s)
Qualification
-
Courant direct moyen
20A
Tension directe max
660mV
Courant de surtension vers l'avant
150A
Type de boîtier de diode
TO-252 (DPAK)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00032
Traçabilité des produits