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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 60,600 € |
| 5+ | 57,090 € |
| 10+ | 53,580 € |
| 50+ | 50,070 € |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantM1P45M12W2-1LA
Code Commande4552729
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSixpack
Type de canalCanal N
Courant de drain Id30A
Tension Drain-Source Vds1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0605ohm
Type de boîtier de transistorACEPACK DMT
Nbre de broches32Broche(s)
Tension de test Rds(on)18V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance-
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Sixpack
Courant de drain Id
30A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0605ohm
Nbre de broches
32Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
5V
Température d'utilisation Max.
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
1.2kV
Type de boîtier de transistor
ACEPACK DMT
Tension de test Rds(on)
18V
Dissipation de puissance
-
Gamme de produit
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits