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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantMJD117T4
Code Commande2341707
Fiche technique
Polarité transistorPNP
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo100V
Dissipation de puissance Pd20W
Courant de collecteur DC2A
Boîtier de transistor RFTO-252 (DPAK)
Nombre de broches3Broche(s)
Gain en courant DC hFE200hFE
Montage transistorMontage en surface
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le MJD117T4 est un transistor Darlington de puissance complémentaire PNP fabriqué en utilisant la technologie Planar avec une disposition «Base Island». Configuration monolithique Darlington avec diode Collecteur-Emetteur anti-parallèle intégrée.
- Bonne linéarité hFE
- Fréquence fT élevée
- Paire complémentaire - MJD112
Spécifications techniques
Polarité transistor
PNP
Dissipation de puissance Pd
20W
Boîtier de transistor RF
TO-252 (DPAK)
Gain en courant DC hFE
200hFE
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
100V
Courant de collecteur DC
2A
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MJD117T4
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000726
Traçabilité des produits