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MJD122-1
Réseau de transistors bipolaires, Double NPN, 8 A, 20 W
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantMJD122-1
Code Commande4036346
Fiche technique
Polarité transistorDouble NPN
Tension Collecteur Emetteur Max NPN-
Tension Collecteur Emetteur Max PNP-
Courant de collecteur continu NPN8A
Courant de collecteur continu PNP-
Dissipation de puissance NPN20W
Dissipation de puissance PNP-
Gain de courant DC hFE Min NPN100hFE
Gain de courant DC hFE Min PNP-
Type de boîtier de transistorTO-251 (IPAK)
Nbre de broches3Broche(s)
Montage transistorTraversant
Température d'utilisation Max.150°C
Fréquence de transition NPN-
Fréquence de transition PNP-
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Polarité transistor
Double NPN
Tension Collecteur Emetteur Max PNP
-
Courant de collecteur continu PNP
-
Dissipation de puissance PNP
-
Gain de courant DC hFE Min PNP
-
Nbre de broches
3Broche(s)
Température d'utilisation Max.
150°C
Fréquence de transition PNP
-
Qualification
-
Tension Collecteur Emetteur Max NPN
-
Courant de collecteur continu NPN
8A
Dissipation de puissance NPN
20W
Gain de courant DC hFE Min NPN
100hFE
Type de boîtier de transistor
TO-251 (IPAK)
Montage transistor
Traversant
Fréquence de transition NPN
-
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00031
Traçabilité des produits