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SCTH35N65G2V-7AG
MOSFET en carbure de silicium, Simple, Canal N, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK
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| 100+ | 7,890 € |
| 250+ | 7,650 € |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCTH35N65G2V-7AG
Code Commande3764233RL
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Polarité transistorCanal N
Type de canalCanal N
Courant de drain Id45A
Tension Drain-Source Vds650V
Résistance Rds(on)0.045ohm
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.045ohm
Type de boîtier de transistorH2PAK
Nbre de broches7Broche(s)
Tension de test Rds(on)20V
Tension de seuil Vgs Max3.2V
Dissipation de puissance208W
Dissipation de puissance Pd208W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.045ohm
Nbre de broches
7Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
3.2V
Dissipation de puissance Pd
208W
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Polarité transistor
Canal N
Courant de drain Id
45A
Résistance Rds(on)
0.045ohm
Type de boîtier de transistor
H2PAK
Tension de test Rds(on)
20V
Dissipation de puissance
208W
Température d'utilisation Max.
175°C
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00154
Traçabilité des produits