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SCTL35N65G2V
MOSFET en carbure de silicium, Simple, Canal N, 40 A, 650 V, 0.045 ohm, PowerFLAT HV
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|---|---|
| 10+ | 9,830 € |
| 50+ | 9,040 € |
| 100+ | 8,320 € |
| 250+ | 8,190 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 10
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCTL35N65G2V
Code Commande3764234RL
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Polarité transistorCanal N
Courant de drain Id40A
Tension Drain-Source Vds650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.045ohm
Résistance Rds(on)0.045ohm
Type de boîtier de transistorPowerFLAT HV
Nbre de broches5Broche(s)
Tension de test Rds(on)20V
Tension de seuil Vgs Max3.2V
Dissipation de puissance Pd417W
Dissipation de puissance417W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Polarité transistor
Canal N
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Rds(on)
0.045ohm
Nbre de broches
5Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
3.2V
Dissipation de puissance
417W
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
40A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.045ohm
Type de boîtier de transistor
PowerFLAT HV
Tension de test Rds(on)
20V
Dissipation de puissance Pd
417W
Température d'utilisation Max.
175°C
MSL
MSL 3 - 168 heures
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00018