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STB20NM50T4
MOSFET de puissance, Canal N, 500 V, 20 A, 0.2 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB20NM50T4
Code Commande2807183
Gamme de produitMDmesh
Fiche technique
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 5,360 € |
| 5+ | 4,540 € |
| 10+ | 3,720 € |
| 50+ | 3,420 € |
| 100+ | 3,070 € |
| 250+ | 2,720 € |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB20NM50T4
Code Commande2807183
Gamme de produitMDmesh
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds500V
Courant de drain Id20A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.2ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance192W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitMDmesh
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
20A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
192W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Tension Drain-Source Vds
500V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.2ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
MDmesh
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0023
Traçabilité des produits