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STB55NF06LT4

Name: STMICROELECTRONICS STB55NF06LT4
Brand: STMICROELECTRONICS
SKU: 1752002RL
Availability: BackOrder

MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface

Date/Lot Code

Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.

FabricantSTMICROELECTRONICS

Réf. FabricantSTB55NF06LT4

Code Commande1752002RL

Fiche technique

Data Sheet

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Options de conditionnement

Bandes découpées

Mise en bobine

Bobine complète

Disponible sur commande

Les livraisons commencent à partir du 09/01/2026.

Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock

Quantité
50+	1,160 €
200+	0,976 €
500+	0,826 €

Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)

Minimum: 100

Multiple: 1

121,00 € (sans TVA)

Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

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Informations produit

FabricantSTMICROELECTRONICS

Réf. FabricantSTB55NF06LT4

Code Commande1752002RL

Fiche technique

Data Sheet

Type de canalCanal N

Tension Drain-Source Vds30V

Courant de drain Id55A

Résistance Drain-Source à l'état-ON0.018ohm

Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)

Montage transistorMontage en surface

Tension de test Rds(on)16V

Tension de seuil Vgs Max1.7V

Dissipation de puissance95W

Nbre de broches3Broche(s)

Température d'utilisation Max.175°C

Gamme de produit-

Qualification-

MSLMSL 1 - Illimité

SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)

Aperçu du produit

Le STB55NF06LT4 est un MOSFET de puissance, canal N, STripFET™ II, développé à l’aide du processus unique basé sur des bandes Single Feature Size™ de STMicroelectronics. Le composant présente une densité de boîtier extrêmement élevée pour des caractéristiques d'avalanche à faible résistance et robustes et des étapes d'alignement moins critiques permettant une reproductibilité de fabrication remarquable.

Capacité dV/dt élevée
Test Avalanche 100%
Caractérisation orientée vers l'application
Température de jonction de -55 à 175°C

Avertissements

La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.

Spécifications techniques

Type de canal

Canal N

Courant de drain Id

55A

Type de boîtier de transistor

TO-263 (D2PAK)

Tension de test Rds(on)

16V

Dissipation de puissance

95W

Température d'utilisation Max.

175°C

Qualification

SVHC

No SVHC (21-Jan-2025)

Tension Drain-Source Vds

30V

Résistance Drain-Source à l'état-ON

0.018ohm

Montage transistor

Montage en surface

Tension de seuil Vgs Max

1.7V

Nbre de broches

3Broche(s)

Gamme de produit

MSL

MSL 1 - Illimité

Documents techniques (2)

Technical Data Sheet EN

Product Change Notice EN

Législation et Questions environnementales

Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

N° de tarif :85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Conforme RoHS :Oui

RoHS

Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui

RoHS

SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)

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Certificat de conformité du produit

Poids (kg) :.001685

Traçabilité des produits