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STD12NF06L-1
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 12 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD12NF06L-1
Code Commande2629746
Gamme de produitStripFET II
Fiche technique
488 En Stock
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| 500+ | 0,323 € |
| 1000+ | 0,269 € |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD12NF06L-1
Code Commande2629746
Gamme de produitStripFET II
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id12A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.06ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance42.8W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitStripFET II
Qualification-
MSL-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
12A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
42.8W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.06ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
StripFET II
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour STD12NF06L-1
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00031