Imprimer la page
STD6N95K5
MOSFET de puissance, Canal N, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
24.968 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS le jour ouvrable suivant
Commander avant 17:00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 2,510 € |
| 10+ | 1,900 € |
| 100+ | 1,440 € |
| 500+ | 1,160 € |
| 1000+ | 1,100 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
2,51 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD6N95K5
Code Commande2341726
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds950V
Courant de drain Id9A
Résistance Drain-Source à l'état-ON1ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance90W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- MOSFET de puissance MDmesh™ K5 950V, 9A, canal N dans un boîtier DPAK, 3 broches
- Meilleur RDS mondiale (ON) 950V
- Meilleure FOM (Figure de mérite) mondiale
- Charge de Grille ultra faible
- Test avalanche 100%
- Protégé avec une Zener
- Convient pour les applications de commutation
- Faible résistance à l'état passant, charge de grille ultra-faible pour les applications de densité de puissance supérieure/rendement élevé
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
9A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
90W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
950V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
1ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour STD6N95K5
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000463
Traçabilité des produits