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STGF30H65DFB2
IGBT, 50 A, 1.65 V, 50 W, 650 V, TO-220FP, 3 Broche(s)
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGF30H65DFB2
Code Commande3528425
Gamme de produitHB2
Fiche technique
12 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 1,510 € |
| 10+ | 1,320 € |
| 100+ | 1,090 € |
| 500+ | 0,982 € |
| 1000+ | 0,906 € |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGF30H65DFB2
Code Commande3528425
Gamme de produitHB2
Fiche technique
Courant Collecteur Continu50A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.65V
Dissipation de puissance50W
Tension Collecteur Emetteur Max650V
Type de boîtier de transistorTO-220FP
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..175°C
Montage transistorTraversant
Gamme de produitHB2
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
50A
Dissipation de puissance
50W
Type de boîtier de transistor
TO-220FP
Température de fonctionnement max..
175°C
Gamme de produit
HB2
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.65V
Tension Collecteur Emetteur Max
650V
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0061