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STGP10M65DF2
IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-220, 3 Broche(s)
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGP10M65DF2
Code Commande2490223
Fiche technique
Courant Collecteur Continu20A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.55V
Dissipation de puissance115W
Tension Collecteur Emetteur Max650V
Type de boîtier de transistorTO-220
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Montage transistorTraversant
Gamme de produit-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
20A
Dissipation de puissance
115W
Type de boîtier de transistor
TO-220
Température d'utilisation Max.
175°C
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.55V
Tension Collecteur Emetteur Max
650V
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002
Traçabilité des produits