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STGW50H65DFB2-4
IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-247, 4 Broche(s)
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGW50H65DFB2-4
Code Commande3577230
Gamme de produitHB2
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 18 semaine(s)
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 3,690 € |
| 10+ | 2,670 € |
| 100+ | 2,130 € |
| 500+ | 2,070 € |
| 1000+ | 2,040 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
3,69 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGW50H65DFB2-4
Code Commande3577230
Gamme de produitHB2
Fiche technique
Courant Collecteur Continu86A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.55V
Dissipation de puissance272W
Tension Collecteur Emetteur Max650V
Type de boîtier de transistorTO-247
Nombre de broches4Broche(s)
Température de fonctionnement max..175°C
Montage transistorTraversant
Gamme de produitHB2
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
86A
Dissipation de puissance
272W
Type de boîtier de transistor
TO-247
Température de fonctionnement max..
175°C
Gamme de produit
HB2
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.55V
Tension Collecteur Emetteur Max
650V
Nombre de broches
4Broche(s)
Montage transistor
Traversant
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00443
Traçabilité des produits